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頻率：125MHz
尺寸：2.50 x 2.00mm
LVDS時(shí)鐘振蕩器,低抖動(dòng)進(jìn)口晶振,Pletronics差分晶振,LV3320JEV-125.0MDK
LV3320JEV - 125.0MDK作為Pletronics出品的低抖動(dòng)進(jìn)口LVDS時(shí)鐘晶體振蕩器，在眾多電子應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出卓越的性能。其125.0MHz的高頻輸出，為高速數(shù)據(jù)處理和通信設(shè)備提供了穩(wěn)定且精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)，有效降低信號(hào)抖動(dòng)對(duì)系統(tǒng)性能的影響。
采用先進(jìn)的制造工藝和高品質(zhì)材料，該晶振在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內(nèi)，能將頻率偏差嚴(yán)格控制在極小范圍，確保卓越的頻率穩(wěn)定性。LVDS差分晶振的特性是其關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，通過差分信號(hào)傳輸方式，顯著增強(qiáng)了抗干擾能力，有效抑制電磁干擾對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的影響，保證信號(hào)在長(zhǎng)距離傳輸中的完整性和準(zhǔn)確性，即使在復(fù)雜電磁環(huán)境下也能維持穩(wěn)定的信號(hào)輸出。這使得它在通信領(lǐng)域，如5G基站、高速網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等，成為保障數(shù)據(jù)高速、準(zhǔn)確傳輸?shù)暮诵脑?br />
在數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域，對(duì)于高性能計(jì)算機(jī)、服務(wù)器以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備等，LV3320JEV - 125.0MDK為CPU、GPU及存儲(chǔ)模塊提供精確的時(shí)鐘同步，確保數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)的高效與準(zhǔn)確。在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，為工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化生產(chǎn)線等設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的精準(zhǔn)協(xié)同工作，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。該有源晶振的設(shè)計(jì)緊湊，采用適合現(xiàn)代電子設(shè)備的封裝形式，便于在電路板上進(jìn)行高密度安裝，適應(yīng)小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí)，這種設(shè)計(jì)還優(yōu)化了散熱性能和電氣性能，進(jìn)一步提升了晶振在不同工作條件下的穩(wěn)定性和抗干擾能力。
Pletronics晶振對(duì)LV3320JEV - 125.0MDK的品質(zhì)把控貫穿整個(gè)生產(chǎn)過程。從原材料的嚴(yán)格篩選，到先進(jìn)的切割、研磨和封裝工藝，每一個(gè)環(huán)節(jié)都遵循嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過高低溫循環(huán)測(cè)試、濕度測(cè)試、振動(dòng)測(cè)試和沖擊測(cè)試等一系列嚴(yán)苛的可靠性試驗(yàn)，確保晶振在各種復(fù)雜環(huán)境下都能穩(wěn)定工作，為產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行提供可靠保障。無論是在對(duì)信號(hào)穩(wěn)定性要求極高的通信系統(tǒng)，還是在追求高精度的工業(yè)自動(dòng)化控制中，LV3320JEV - 125.0MDK都憑借其低抖動(dòng)、高穩(wěn)定性和卓越的抗干擾能力，成為眾多電子系統(tǒng)理想的時(shí)鐘源選擇。
LVDS時(shí)鐘振蕩器,低抖動(dòng)進(jìn)口晶振,Pletronics差分晶振,LV3320JEV-125.0MDK
| Parameter | Min | Typ | Max | Unit | ||
| Frequency Range 2 | 100 | - | 220 | MHz | ||
|
Frequency Stability 2
± 20 = 20*, ± 25 = 44, ± 50 = 45
|
±20 | - | ±50 | ppm | ||
| Operating Temperature Range 2 |
-10 -20 -40 -40 -40 |
- |
+70 +70 +85 +105 +125 |
°C | ||
| Supply Voltage 1, 2 VDD | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | ||
| Supply Current IDD | - | - | 35 | mA | ||
| Output Waveform | LVDS輸出晶振 | |||||
| Differential Output Voltage VOD | 247 | - | 454 | mV | ||
| Output Offset Voltage VOS | 1.125 | 1.25 | 1.375 | V | ||
| Differential Output Error ΔVOD | - | - | 50 | mV | ||
| Output TRISE and TFALL | - | - | 0.4 | ns | ||
| Startup Time | - | - | 5 | ms | ||
| Duty Cycle | 45 | - | 55 | % | ||
| VDISABLE VIL | - | - | 30 | %Vcc | ||
| VENABLE VIH | 70 | - | - | |||
| Enable Time | - | - | 5 | ms | ||
| Disable Time | - | - | 200 | ns | ||
| Enable/Disable Internal Pull-up | 30 | 70 | 150 | Kohm | ||
|
Output Leakage VOUT = VCC VOUT = 0V |
- -10 |
- |
+10 - |
µA | ||
| Standby Current | - | - | 30 | µA | ||
| rms Phase Jitter | - | 0.05 | 0.1 | ps | ||
|
Phase Noise 1 kHz
10 kHz
100 kHz
1 MHz
10 MHz
20 MHz
|
- |
-134 -152 -159 -162 -164 -164 |
- | dBc/Hz | ||
| Storage Temperature Range | -55 | - | +125 | °C | ||
LVDS時(shí)鐘振蕩器,低抖動(dòng)進(jìn)口晶振,Pletronics差分晶振,LV3320JEV-125.0MDK
LVDS時(shí)鐘振蕩器,低抖動(dòng)進(jìn)口晶振,Pletronics差分晶振,LV3320JEV-125.0MDK
所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
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