頻率：12.0MHz～50.0MHz
尺寸：3.2*2.5*0.7mm
貼片晶振本身體積小,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型,薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.
| 制造商 | 富士通 | 產地 | 日本 | 產品型號 | FSX-3M |
| 頻率 |
12.0MHz～50.0MHz |
負載 |
10pF～20pF |
溫度范圍 | -10℃～+70℃ |
| 頻率偏差 |
±10～±50ppm |
封裝 |
金屬面貼片 | 尺寸 | 3.2*2.5*0.7mm |
|
富士通晶振規(guī)格 |
單位 |
FSX-3M晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
12.0MHz～50.0MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-20°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+70°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10～±50× 10-6(標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10～±50×10-6/-10°C～+70°C
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超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
10pF～20pF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸貼片晶振的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用耐高溫晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產生.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內容).
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容).
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致無源晶振的振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容)
富士通晶振不僅遵守與環(huán)保相關的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據(jù)需要自主性的制定基準,通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預防污染.
在設定環(huán)保目的與目標展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?；顒拥乃?
富士通晶振通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻.
將環(huán)?；顒拥男畔⑾蚬緝韧夤_,積極努力的與地區(qū)社會及相關人員建立信賴關系,為社會的發(fā)展做出貢獻.
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領域業(yè)務的所有相關人員徹底傳達的同時,也向公司外部公開.
富士通晶振集團將建立可行的技術及經濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質量.
富士通晶振集團公司將關注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.
精工愛普生晶振集團將在各領域內的商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
富士通晶振盡可能的采用無害的原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.
根據(jù)需要,提高環(huán)境技術、材料和石英晶振的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.
富士通晶振公司的目標是保證產品繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在生產過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進.
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