IDT低抖動(dòng)有源晶體振蕩器第1篇，IDT公司致力于為用戶提供創(chuàng)新型的產(chǎn)品為主，憑借著出色的穩(wěn)定性能使得在電子行業(yè)大放異彩，并通過(guò)自身的努力，不斷打磨自身的產(chǎn)品和自身的核心競(jìng)爭(zhēng)力，隨著幾十年來(lái)的積累，如今已然到了爆發(fā)期，并切合用戶實(shí)際需求，開(kāi)發(fā)小體積高品質(zhì)的石英晶體振蕩器，產(chǎn)品采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念，結(jié)合高超技術(shù)打磨而成，對(duì)于IDT公司而言也是突破型的里程碑。

IDT開(kāi)發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案，例如處理器和內(nèi)存，彼此之間，以及物理世界。在IDT，我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。IDT致力于通過(guò)網(wǎng)站運(yùn)營(yíng)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，持續(xù)改進(jìn)作為一個(gè)全球性的組織。

IDT的集成電路用于世界各地的通信、計(jì)算和消費(fèi)行業(yè)。IDT總部位于加州圣何塞市，在世界各地都設(shè)有設(shè)計(jì)、運(yùn)營(yíng)和銷(xiāo)售設(shè)施。

頻率系統(tǒng)性能的衡量標(biāo)準(zhǔn)是穩(wěn)定性，即在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間內(nèi)頻率的波動(dòng)水平測(cè)量目標(biāo)是將這些波動(dòng)保持在最低限度；然而，噪聲和抖動(dòng)在系統(tǒng)中是不可避免的，并且可能對(duì)性能產(chǎn)生負(fù)面影響.

抖動(dòng)基本介紹
考慮一個(gè)有兩種狀態(tài)的信號(hào)，“開(kāi)”或“關(guān)”。此信號(hào)具有脈沖之間的恒定時(shí)間段和所有脈沖相等長(zhǎng)度。
由于信號(hào)的性質(zhì)，很容易預(yù)測(cè)下一個(gè)脈沖的時(shí)間將到達(dá)。如果您想建立一個(gè)利用該脈沖的性質(zhì)；例如，如果兩個(gè)脈沖之間的時(shí)間你可以做一個(gè)非常簡(jiǎn)單的計(jì)時(shí)裝置根據(jù)該信號(hào)。

然而，事實(shí)上沒(méi)有什么是這么簡(jiǎn)單的。再次考慮信號(hào)但現(xiàn)在也要考慮一些破壞它的東西。這種“噪音”，無(wú)論是來(lái)自在脈沖或外部參數(shù)內(nèi)，偶爾會(huì)導(dǎo)致脈沖提前到達(dá)。

散粒噪聲

組成電流的電子的離散性質(zhì)也 在部件中引入噪聲。這在變得非常重要 極低電流應(yīng)用。這也是白不可約的。

閃爍噪聲 盡管約翰遜噪聲和散粒噪聲與電路無(wú)關(guān)元件設(shè)計(jì)，閃爍噪聲不是。閃爍噪聲(也稱(chēng)為 粉紅噪聲)在低頻占優(yōu)勢(shì)，并且是由于瞬態(tài)組件性能的波動(dòng)。它遵循一個(gè)相似的趨勢(shì) 冪=1/f，其中f是頻率。由此可見(jiàn)，力量隨著頻率的增加，閃爍噪聲趨于0。圖二。IDT低抖動(dòng)有源晶體振蕩器第1篇.

外噪聲

這是一種干涉。例子包括50Hz電源 電源線、電容和磁耦合。這可以是糟糕的電路設(shè)計(jì)加劇了這種情況，如果沒(méi)有正確的預(yù)先考慮成為一個(gè)問(wèn)題。

隨機(jī)行走
這是晶體結(jié)構(gòu)本身固有的，包括環(huán)境源，如沖擊和振動(dòng)。這些是影響晶體本身結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)期因素，可能會(huì)導(dǎo)致這種情況立即的討論被忽略。隨機(jī)游動(dòng)通常定義為小于10Hz并且沒(méi)有抖動(dòng)。

量化噪聲
通常以信噪比（SNR）形式給出：在SNR=20log10時(shí)的分貝（Vs2/VN2）（1）其中Vs和VN是信號(hào)和噪聲的均方根電壓分別地.

在這個(gè)討論中，我們對(duì)均勻的周期波形感興趣圍繞給定點(diǎn)振蕩。例如，方波振蕩在地（0V）和電源電壓（Vs）之間。我們將考慮輸出上升超過(guò)½Vs作為閾值的點(diǎn)參考電壓，并使用該值測(cè)量上升脈沖的邊緣。我們不考慮從0V開(kāi)始增加我們的上升沿可能是隨機(jī)噪聲。或者我們可以考慮關(guān)于水平x軸對(duì)稱(chēng)的正弦波，其中x=0是我們測(cè)量的參考點(diǎn)，即0V線。

我們正在有效地尋找原始波形和接收到的波形，即信號(hào)抖動(dòng)是用時(shí)間或單位間隔來(lái)描述的，而有源晶振相位噪聲將以弧度或度數(shù)來(lái)描述。例如，考慮一個(gè)在然而，在1MHz的頻率下，0V和+Vs被感應(yīng)到電路中是一種噪聲，意味著信號(hào)提前達(dá)到½Vs。

如圖3所示，最終波形越過(guò)閾值電壓比之前的波形快½Vs；由于噪音導(dǎo)致波形提前到達(dá)。在這種情況下，在0V下花費(fèi)的時(shí)間是先前波形的一半時(shí)間。

使用：T=1/f（2）

我們知道整個(gè)周期需要1µs。所以這個(gè)波形達(dá)到250ns早期的這是250ns的抖動(dòng)或½π或90°的相移。一個(gè)可以通過(guò)數(shù)學(xué)分析得出更清晰的例子相移和抖動(dòng)的描述是正弦波形。A.正弦曲線可以寫(xiě)成：f（t）=Asin（ωt+θ）（3）其中A是波的最大振幅，ω=2πf，θ是相位轉(zhuǎn)移.

示例：
考慮以下場(chǎng)景，x是一條正弦曲線，其頻率為1Hz。波形的方程為x=sin2πt。然而噪聲存在并導(dǎo)致波異相移動(dòng)。圖4、5和6。
我們有一個(gè)0V的閾值電壓，當(dāng)波浪穿過(guò)水平x軸。測(cè)量時(shí)間為0.4375s當(dāng)它穿過(guò)x軸時(shí)。這是0.0625s的抖動(dòng)。由此我們可以計(jì)算出相移。從（3）：
f(t) = Asin(ωt + θ)

f(t) = Asin(2πft + θ)

f(t) = Asin(2πt + θ) as

f = 1 f(t) = Asin(2π x 0.4375 + θ) as wave is 0.4375s early

f(t) = sin(2π x 0.4375 + θ) as A = 1 0 = 2π x 0.4375 + θ at f(t) = 0 0 = 0.875π + θ -θ = 0.875π θ = 0.125π θ = 1/8π phase shift
相位噪聲圖
在前面的例子中，分析了一個(gè)單獨(dú)的噪音事件；然而，檢查信噪比如何也是有用的（SNR）隨著頻率或噪聲的變化而變化。這是繪制的在曲線圖上，SNR值顯示在Y軸上與X軸上表示的基頻的距離。頻率離基頻越遠(yuǎn)，越小SNR將變?yōu)閳D7。

從這些圖表中，你可以計(jì)算出各種興趣點(diǎn)的位置例如SNR的功率減半的3dB頻率。這使得能夠繪制出顯示相位噪聲的曲線圖抵消.

圖8中的圖表分解了相位噪聲的來(lái)源有源晶體振蕩器的經(jīng)驗(yàn)。相位噪聲圖被分離分為五個(gè)主要區(qū)域，距離水平X軸和垂直Y軸上的SNR。您可以觀察閃爍角，閃爍噪聲變得可以忽略的點(diǎn)信號(hào)中的因素；此時(shí)，所有高于該角頻率的噪聲變得不可約。這與前面的噪聲區(qū)域圖非常相似標(biāo)記。