CTS的突破創(chuàng)新型小封裝高質(zhì)量的石英晶體諧振器,很適合用于通信設(shè)備領(lǐng)域416F260X3AKR，密封性試驗(yàn)確定包內(nèi)是否存在任何泄漏。通常指定兩個(gè)測試:粗漏和細(xì)漏。大多數(shù)水晶包都應(yīng)該通過這兩種方法。總泄漏測試涉及有些氣泡通過將晶體浸入液體腔來抑制。精細(xì)泄漏測試系統(tǒng)使用氦作為示蹤氣體和氦探測器?？梢詸z測到低至1x10-9cc/秒的水平。大多數(shù)無源晶體規(guī)格為1x10-8cc/秒。良好的密封性將確保良好的老化水晶的生命。

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可焊性試驗(yàn)確定焊料對鉛或晶片的潤濕性。在使用較弱助焊劑或不清潔的大批量生產(chǎn)中，良好的可焊性是必要的工序減少對板洗的需要。蒸汽老化是一種用于驗(yàn)證的試驗(yàn)方法隨著時(shí)間的推移，可獲得良好的可焊性性能。這種預(yù)條件作用使引線具有蒸汽可焊性測試前可幫助刺激長達(dá)6個(gè)月的保質(zhì)期。這可能是對您的應(yīng)用程序很重要。如果你在收到水晶后迅速使用，蒸汽測試可能不需要。通過指定MIL-STD-202，方法208，需要蒸汽預(yù)處理。要求這個(gè)測試對您的晶體可能會(huì)略有影響的價(jià)格，所以它可能是您的優(yōu)勢，考慮您的應(yīng)用程序之前指定蒸汽預(yù)處理。CTS的突破創(chuàng)新型小封裝高質(zhì)量的石英晶體諧振器,很適合用于通信設(shè)備領(lǐng)域416F260X3AKR

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活動(dòng)下降

一種不需要的晶體特性，它表現(xiàn)為無源晶體電阻和共振頻率的突然變化，隨后又同樣突然地恢復(fù)到先前的值?；疃认陆凳艿骄w驅(qū)動(dòng)電平和負(fù)載電容的強(qiáng)烈影響。

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老化

由于石英晶體諧振腔內(nèi)部的變化而引起的頻率隨時(shí)間的系統(tǒng)變化。老化常以每年百萬分之一的最大值來表示[ppm/年]。衰老的速度在本質(zhì)上是對數(shù)的。影響晶體老化的因素有:諧振腔表面的污染物吸附和解吸，安裝和連接結(jié)構(gòu)的應(yīng)力消除，材料放氣，以及密封完整性。

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416F300X3CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300X3CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXAAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXAKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz

諧振腔空白被切出的角度[以度、分、秒指定]相對于主晶體軸的石英材料。切割角度是一個(gè)主要因素控制壓電石英晶體單元的頻率與溫度性能。

AT切割晶體單元

對一種特定類型的石英晶體切割的分類。AT剪是最受歡迎的剪法在MHz范圍內(nèi)的晶體單元今天制造的類型。AT Cut是一種厚度-剪切體聲波[BAW]晶體單元，在室溫附近具有三次頻率隨溫度變化的拐點(diǎn)曲線。它因其優(yōu)良的溫度頻率特性而廣受歡迎。

416F300XXALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXCAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXCDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXCKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXCLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXCSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F300XXCTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	30MHz
416F32011AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32011CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32012CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32013CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XAAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XAKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XCAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XCDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XCKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XCLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XCSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F3201XCTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32022AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
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416F32022CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
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416F32022CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32022CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32023CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz

基地

底座通常被稱為支架或表頭，是石英晶體單元包的子組件。

空白

一種半加工的石英晶體諧振器，通常沒有電極鍍層及其支架或底座。

416F32025AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32025CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
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416F32033AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32033CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32035AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
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416F32035AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
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416F32035CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32035CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32035CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32035CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32035CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F32035CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F320X2AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F320X2ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F320X2AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F320X2ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz
416F320X2ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	32MHz

BT切割晶體裝置

對一種特定類型的石英晶體切割的分類。BT切割以與at切割近似相反的角度加工，被歸類為厚度剪切晶體單元拋物線型頻率隨溫度變化曲線，其拐點(diǎn)在室溫附近。因此，在給定的工作溫度范圍內(nèi)，BT切割晶體將表現(xiàn)出更高的頻率shift比AT切割晶體。